NTLJD3119CTBG

商品型号 :

NTLJD3119CTBG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

26426

系列

µCool™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.6A,2.3A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

65 毫欧@3.8A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.7nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

271pF@10V

功率 - 最大值

710mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-WDFN 祼焊盘

供应商器件封装

6-WDFN(2x2)

基本产品编号

NTLJD3119

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99