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SSM6L35FU(TE85L,F)

阶梯

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¥37.7866

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  • 库存:14900
  • 起订量:1
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大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

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合计:

¥37.7866

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品SSM6L35FU(TE85L,F)规格参数

商品型号 :

SSM6L35FU(TE85L,F)

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

14900

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平栅极,1.2V 驱动

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

180mA,100mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3 欧姆@50mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9.5pF@3V

功率 - 最大值

200mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装

US6

基本产品编号

SSM6L35

ECCN

EAR99

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