NTMFD020N06CT1G

商品型号 :

NTMFD020N06CT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1500

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

1064

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A(Ta),27A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

20.3 毫欧@4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.8nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

355pF@30V

功率 - 最大值

3.1W(Ta),31W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

基本产品编号

NTMFD020

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99