百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > DMN2024UTS-13
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-TSSOP
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
商品型号 :
DMN2024UTS-13
类目 :
品牌 :
DIODES(美台)
最小包装量 :
1
起订量 :
2500
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
2347
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
20V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.2A(Ta),15.2A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
24 毫欧@6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
647pF@10V
功率 - 最大值
890mW(Ta)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-TSSOP
基本产品编号
DMN2024
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
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大陆交货(含税)
库存: 1820
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增量: 1
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