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SSM6N357R,LF

阶梯

美金

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$7.2335

¥59.8684

10+

$4.4609

¥36.9204

50+

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100+

$2.8674

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500+

$2.1796

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关税
  • 库存:7210
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥59.8684

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品SSM6N357R,LF规格参数

商品型号 :

SSM6N357R,LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

7210

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

650mA(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.8 欧姆@150mA,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.5nC@5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

60pF@12V

功率 - 最大值

1.5W(Ta)

工作温度

150℃

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

供应商器件封装

6-TSOP-F

基本产品编号

SSM6N357

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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