SSM6N68NU,LF

商品型号 :

SSM6N68NU,LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

945

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

84毫欧@2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.8nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

129pF@15V

功率 - 最大值

2W(Ta)

工作温度

150℃

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-WDFN 祼焊盘

供应商器件封装

6-µDFN(2x2)

基本产品编号

SSM6N68

ECCN

EAR99