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ZXMN4A06KTC

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美金

含税

2500+

$6.7211

¥55.81

关税
  • 库存:1796
  • 起订量:2500
  • 倍数:2500

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥139525.00

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:1

商品ZXMN4A06KTC规格参数

商品型号 :

ZXMN4A06KTC

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

1

起订量 :

2500

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

1796

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

50 毫欧@4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

17.1 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

827pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.15W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252-3

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

ZXMN4A06

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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