TK14G65W,RQ

商品型号 :

TK14G65W,RQ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

2109

系列

DTMOSIV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

13.7A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

250 毫欧@6.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@690µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

35 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1300pF@300 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

130W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

TK14G65

ECCN

EAR99