百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDB0300N1007L
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含税
800+
$27.3141
¥226.0662
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-263-7
描述:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
商品型号 :
FDB0300N1007L
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
800
起订量 :
800
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
44
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
200A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧@26A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
113 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8295pF@50 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),250W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
基本产品编号
FDB0300
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
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大陆交货(含税)
库存: 12
标准包: 1
增量: 1
批次: 2216+
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增量: 1
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