BSZ120P03NS3EGATMA1

商品型号 :

BSZ120P03NS3EGATMA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

--

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

12 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.1V @ 73µA

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3360 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.1W（Ta），52W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

湿气等级

1（无限）