百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BUK652R0-30C,127
品牌:
分类:
封装:
TO-220AB
描述:
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
商品型号 :
BUK652R0-30C,127
类目 :
品牌 :
NXP(恩智浦)/Freescale
最小包装量 :
50
起订量 :
224
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
--
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
2.2 毫欧@25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V@1mA
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14964pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
306W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
湿气等级
1(无限)
产品状态
停产
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 400000
标准包: 1000
增量: 1
批次: 26+
10+
--
¥3.0045
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