百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > NVTFS6H888NLWFTAG
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货期:
品牌:
分类:
封装:
8-WDFN(3.3x3.3)
描述:
MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
商品型号 :
NVTFS6H888NLWFTAG
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
1500
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
1500
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4,9A(Ta),14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧@5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V@15µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
258pF@40 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.9W(Ta),23W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFS6
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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