SSM3J112TU,LF

商品型号 :

SSM3J112TU,LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

8773

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

390 毫欧@500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.8V@100µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

86pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

800mW(Ta)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

UFM

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

基本产品编号

SSM3J112

ECCN

EAR99