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IXFH12N100F

阶梯

美金

含税

1+

$162.2535

¥1347.3045

30+

$99.4098

¥825.4695

60+

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¥763.4232

120+

$85.6545

¥711.2493

510+

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关税
  • 库存:3298
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥1347.3045

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品IXFH12N100F规格参数

商品型号 :

IXFH12N100F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

3298

系列

HiPerFET™,F Class

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.05 欧姆@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.5V@4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

77 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2700pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

300W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247AD(IXFH)

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IXFH12

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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