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BSC884N03MSG

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  • 库存:14149
  • 起订量:545
  • 倍数:545
  • 包装:散装
  • 最小包装量:545

商品BSC884N03MSG规格参数

商品型号 :

BSC884N03MSG

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

545

起订量 :

545

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

--

系列

OptiMOS™

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

34V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A(Ta),85A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.5 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

34 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2700pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),50W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-1

封装/外壳

8-PowerTDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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