百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > C3M0060065J
阶梯
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-263-7
描述:
SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
商品型号 :
C3M0060065J
类目 :
品牌 :
CREE/WOLFSPEED
最小包装量 :
50
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
1227
系列
C3M™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
79 毫欧@13.2A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.6V@5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46 nC@15 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1020pF@600 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
136W(Tc)
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
基本产品编号
C3M0060065
REACH 状态
受 REACH 影响
ECCN
EAR99
阶梯
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大陆交货(含税)
库存: 800
标准包: 800
增量: 800
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