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BSH207,135

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  • 库存:47867
  • 起订量:302
  • 倍数:302
  • 包装:散装
  • 最小包装量:302

商品BSH207,135规格参数

商品型号 :

BSH207,135

类目 :

其它

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

302

起订量 :

302

批次 :

--

包装 :

散装

库存 :

--

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

12V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.52A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

120 毫欧@1A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

600mV@1mA(典型值)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.8 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

500pF@9.6 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

417mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

6-TSOP

封装/外壳

SC-74,SOT-457

ECCN

EAR99

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