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2SJ168TE85LF

阶梯

美金

含税

1+

$13.1215

¥108.957

10+

$8.2363

¥68.3918

50+

$6.1192

¥50.8116

100+

$5.4343

¥45.125

关税
  • 库存:456
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥108.957

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品2SJ168TE85LF规格参数

商品型号 :

2SJ168TE85LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

456

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2欧姆@50mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

85pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

200mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

S-Mini

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

2SJ168

ECCN

EAR99

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