NVJS4151PT1G

商品型号 :

NVJS4151PT1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

3000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

9952

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

67 毫欧@2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

850pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.2W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

基本产品编号

NVJS4151

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99