NVMS5P02R2G

商品型号 :

NVMS5P02R2G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

329

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.95A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

33 毫欧@5.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.25V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

35 nC@4.5 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1900pF@16 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

--

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOIC

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

基本产品编号

NVMS5P02

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99