NTNS2K1P021ZTCG

商品型号 :

NTNS2K1P021ZTCG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

8000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

1333

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

127mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 欧姆@100mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@250µA

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

12800pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

125mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

3-XDFN(0.42x0.62)

封装/外壳

3-XFDFN

基本产品编号

NTNS2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99