CSD17556Q5B

商品型号 :

CSD17556Q5B

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

2500

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

3619

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

34A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.4 毫欧@40A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.65V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

39 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

7020pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta),191W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSON-CLIP(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD17556

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99