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PSMN7R0-100BS,118

阶梯

美金

含税

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¥279.4492

10+

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50+

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  • 库存:4000
  • 起订量:1
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大陆: 10-13工作日
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合计:

¥279.4492

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:800

商品PSMN7R0-100BS,118规格参数

商品型号 :

PSMN7R0-100BS,118

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

4000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.8 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

125 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6686pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

269W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

PSMN7R0

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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