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PSMN7R6-60BS,118

阶梯

美金

含税

800+

$8.5741

¥71.1964

2400+

$7.599

¥63.0998

关税
  • 库存:4850
  • 起订量:800
  • 倍数:800

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥56957.12

  • 包装:卷带(TR)
  • 最小包装量:800

商品PSMN7R6-60BS,118规格参数

商品型号 :

PSMN7R6-60BS,118

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

800

起订量 :

800

批次 :

--

包装 :

卷带(TR)

库存 :

4850

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

92A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.8 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

38.7 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2651pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

149W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

PSMN7R6

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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