SSM6K217FE,LF

商品型号 :

SSM6K217FE,LF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

4000

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

31448

系列

U-MOSVII-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,8V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

195 毫欧@1A,8V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.1 nC@4.2 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

130pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

500mW(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

ES6

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

基本产品编号

SSM6K217

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99