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CSD16413Q5A

阶梯

美金

含税

1+

$19.78

¥163.71

10+

$12.6397

¥104.6126

50+

$9.5257

¥78.8397

100+

$8.5223

¥70.5352

500+

$6.7602

¥55.9513

关税
  • 库存:5650
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥163.71

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:1

商品CSD16413Q5A规格参数

商品型号 :

CSD16413Q5A

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TI(德州仪器)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

5650

系列

NexFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

24A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.9 毫欧@24A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.9V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

11.7 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+16V,-12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1780pF@12.5 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.1W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSONP(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD16413

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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