SSM3J66MFV,L3F

商品型号 :

SSM3J66MFV,L3F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

5654

系列

U-MOSVI

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

800mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

390毫欧@800mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.6 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+6V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

100pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150mW(Ta)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

VESM

封装/外壳

SOT-723

基本产品编号

SSM3J66

ECCN

EAR99