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TSM120N06LCP ROG

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  • 起订量:1
  • 倍数:1

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大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥129.4879

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品TSM120N06LCP ROG规格参数

商品型号 :

TSM120N06LCP ROG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

7971

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

70A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12 毫欧@10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

37 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2118pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

125W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252(DPAK)

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

TSM120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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