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SSM3J35AMFV,L3F

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¥18.1436

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  • 库存:241892
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥18.1436

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品SSM3J35AMFV,L3F规格参数

商品型号 :

SSM3J35AMFV,L3F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

241892

系列

U-MOSVII

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

250mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.2V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.4 欧姆@150mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@100µA

Vgs(最大值)

±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

42pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150mW(Ta)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

VESM

封装/外壳

SOT-723

基本产品编号

SSM3J35

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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