百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > 2N7002NXAKR
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-236AB
描述:
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
商品型号 :
2N7002NXAKR
类目 :
品牌 :
Nexperia(安世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
Digi-Reel® 得捷定制卷带
库存 :
533828
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta),300mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 欧姆@100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43 nC@4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF@10 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
265mW(Ta),1.33W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
2N7002
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
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库存: 300000
标准包: 3000
增量: 3000
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