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IXTA08N50D2

阶梯

美金

含税

1+

$44.7925

¥371.9435

10+

$29.5401

¥245.2917

50+

$22.9924

¥190.9221

100+

$20.884

¥173.4145

500+

$17.1908

¥142.7469

关税
  • 库存:447
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥371.9435

  • 包装:管件
  • 最小包装量:50

商品IXTA08N50D2规格参数

商品型号 :

IXTA08N50D2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

447

系列

Depletion

包装

管件

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

500V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

800mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.6 欧姆@400mA,0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

12.7 nC@5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

312pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

60W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263AA

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

IXTA08

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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