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IXTH200N10T

阶梯

美金

含税

1+

$115.2645

¥957.1219

30+

$68.8969

¥572.0991

60+

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¥526.2579

120+

$58.7351

¥487.7187

510+

$51.5003

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关税
  • 库存:3121
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥957.1219

  • 包装:管件
  • 最小包装量:30

商品IXTH200N10T规格参数

商品型号 :

IXTH200N10T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

3121

系列

Trench

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5.5 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

152 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9400pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

550W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247(IXTH)

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

IXTH200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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