NTMFS0D8N02P1ET1G

商品型号 :

NTMFS0D8N02P1ET1G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1500

批次 :

--

包装 :

卷带（TR）

库存 :

1756

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

55A(Ta),365A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.68 毫欧@46A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

52 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

+16V,-12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

8600pF@13 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.2W(Ta),139W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装/外壳

8-PowerTDFN,5 引线

基本产品编号

NTMFS0

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99