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TK3R2A10PL,S4X

阶梯

美金

含税

1+

$43.3665

¥360.1024

10+

$28.589

¥237.3945

50+

$22.2261

¥184.5585

100+

$20.1765

¥167.5398

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$16.5844

¥137.7115

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  • 起订量:1
  • 倍数:1

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香港: 8-11工作日

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¥360.1024

  • 包装:管件
  • 最小包装量:50

商品TK3R2A10PL,S4X规格参数

商品型号 :

TK3R2A10PL,S4X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

1125

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.2 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

161 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9500pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

54W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220SIS

封装/外壳

TO-220-3 整包

基本产品编号

TK3R2A10

ECCN

EAR99

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