联发科将采用台积电3纳米制程技术，预计2024年量产

　　联发科技与台积电今日共同宣布，联发科技首款采用台积电3纳米制程生产的产品天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功完成设计定案（tape out）并预计明年量产。联发科技与台积电长期保持紧密且深度的战略合作关系，双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势，共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片，赋能全球终端装置与设备。

　　联发科总经理陈冠州表示「联发科技在拓展全球旗舰市场的策略上，致力用全球最先进的技术为使用者打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力，让联发科技在旗舰芯片的优异设计得以充分展现，提供全球客户高性能、高能校且品质稳定的最佳方案，并持续提升旗舰市场的使用者体验。」

　　台积电欧亚业务及技术研究资深副总经理侯永清博士表示，「多年来，台积电与联发科技紧密合作，为市场带来了许多重大的创新，我们也很荣幸能继续在3纳米及更先进的技术上携手合作。台积电与联发科技在天玑旗舰芯片上的合作，将半导体产业最顶尖的制程科技带入智能手机等行动设备，让全球使用者零距离享受无与伦比的体验。」

　　台积电3纳米制程技术不仅为高性能运算及行动应用提供完整平台支持，还拥有更强化的性能、功耗及良率。相较于5纳米制程技术，台积电3纳米制程技术的逻辑IC密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。

　　依据新闻稿提到，联发科一直以业界领先的制程技术打造旗舰 Dimensity 天玑产品，满足使用者在行动运算、高速联网、人工智能、多媒体娱乐等领域不断升级的体验需求，赋能手机、平板电脑、智能汽车等各类装置与设备。联发科首款采用台积电3纳米制程的天玑旗舰芯片将于2024年下半年上市，为新世代终端设备注入强大实力，带动使用者体验迈向新篇章。

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