IMEC与ASML签定合作备忘录，强化high-NA EUV合作！

　　比利时微电子研究中心（imec）及艾司摩尔（ASML）今日宣布，将携手开发最先进高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）微影试验制程的下一阶段强化合作。

　　Imec 表示，目标是协助采用半导体技术的所有产业了解先进半导体技术契机，并提供未来支持创新的原型设计平台。imec、艾司摩尔及其他伙伴建立的合作能探索创新半导体应用，还能为芯片制造商及终端使用者开发持续的前瞻制造方案，同时携手设备及材料生态系统发展尖端图形化完整制程。

　　合作备忘录（MoU）含 imec 比利时鲁汶实验制程提供先进微影及测量设备的全套安装及维护，最新型 0.55 NA EUV 设备 TWINSCAN EXE:5200 系统、新型 0.33 NA EUV 设备 TWINSCAN NXE:3800 系统、浸润式深紫外光（DUV）设备 TWINSCAN NXT:2100i、Yieldstar 光学测量系统和 HMI 多光束检测系统。此次合作对先进实验制程意义非凡。

　　为了开发新一代 AI 系统等高性能节能芯片，高数值孔径技术是必须，还能实现创新深度技术（deep-tech）解决方案，解决社会健康看护、营养学、交通汽车、气候变迁和持续能源等主要挑战。为了确保业界 2025 年后进入高数值孔径极紫外光微影技术，并保留欧洲先进制程研发力，重大投资不可或缺。

　　合作备忘录为 imec 和艾司摩尔高数值孔径极紫外光下阶段紧密合作揭开序章，第一阶段制程在双方共享实验室进行，采用世界首台高数值孔径极紫外光曝光机 TWINSCAN EXE:5000 系统。Imec 和艾司摩尔、各大芯片制造商、材料和设备生态系统伙伴合作，以量产时最快导入技术为共同目标准备。下阶段将在 imec 比利时鲁汶实验制程加速推进，采用新高数值孔径曝光机 TWINSCAN EXE:5200 系统。

　　此次半导体业两位主角微影与测量强化合作，与欧盟及成员国愿景计划一致，即欧洲共同利益重要计划（IPCEI）的芯片法案（Chips Act），强化创新，解决社会挑战。imec 与艾司摩尔合作纳入 IPCEI 提案，正由荷兰政府审查。

　　艾司摩尔执行官 Peter Wennink 表示，艾司摩尔持续投注大量心力至 imec 最先进实验制程，驱动欧洲半导体研究和持续创新。随着人工智能（AI）技术快速扩展到自然语言处理、电脑视觉和工业自动化系统等领域，开发复杂度也不断攀升。开发满足运算需求的芯片技术至关重要，同时还不能耗费地球珍贵（能源）资源。

　　Imec 执行官 Luc Van den hove 表示，艾司摩尔此次承诺奠基于超过 30 年的成功合作经验，彰显发展纳米级以下芯片的坚持精神，也证明芯片产业团结的实力。尽管合作能强化区域实力，但未来也能推动全球合作，促使国际伙伴从区域开发突破获益。通过共同努力，才能真正加速创新，并推动半导体产业达新高峰。

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